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NP36N055SHE-E1-AY
的报价和技术资料 - RENESAS瑞萨电子授权中国代理商 |
NP36N055SHE-E1-AY
单端场效应管
制造厂商:
瑞萨(RENESAS)
功能简述:
MOSFET N-CH 55V 36A TO252
原厂封装:
TO-252
优势价格,NP36N055SHE-E1-AY的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NP36N055SHE-E1-AY的技术资料下载
NP36N055SHE-E1-AY的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
Renesas瑞萨完整型号:NP36N055SHE-E1-AY
制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
描述:MOSFET N-CH 55V 36A TO252
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):36A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):14 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):66nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3500pF @ 25V
功率 - 最大值:1.2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:TO-252(MP-3ZK)
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