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| NP82N06PDG-E1-AY的报价和技术资料 - RENESAS瑞萨电子授权中国代理商 |
NP82N06PDG-E1-AY的图片

NP82N06PDG-E1-AY

瑞萨(RENESAS)图标
单端场效应管
制造厂商：瑞萨(RENESAS)
功能简述：MOSFET N-CH 60V 82A TO-263
原厂封装：TO-263
优势价格，NP82N06PDG-E1-AY的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NP82N06PDG-E1-AY的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
  • Renesas瑞萨完整型号：NP82N06PDG-E1-AY
  • 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 82A TO-263
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：82A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.7 毫欧 @ 41A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：106nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5700pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：1.8W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：TO-263
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