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RBE037N10R1SZN6#HB0
的报价和技术资料 - RENESAS瑞萨电子授权中国代理商 |
RBE037N10R1SZN6#HB0
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
瑞萨(RENESAS)
功能简述:
POWER:POWER MOSFETS
原厂封装:
封装:-
优势价格,RBE037N10R1SZN6#HB0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
RBE037N10R1SZN6#HB0的技术资料下载
RBE037N10R1SZN6#HB0的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
型号:RBE037N10R1SZN6#HB0
品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
封装:-
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:POWER:POWER MOSFETS
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:-
技术:-
漏源电压(Vdss):-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
Vgs(最大值):-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
FET 功能:-
功率耗散(最大值):-
工作温度:-
等级:-
资质:-
安装类型:-
供应商器件封装:-
封装/外壳:-
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