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RBE100N04R0SZN6#HB0

瑞萨(RENESAS)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：瑞萨(RENESAS)
功能简述：POWER:POWER MOSFETS
原厂封装：封装:8-DFN（4.9x5.75）
优势价格，RBE100N04R0SZN6#HB0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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RBE100N04R0SZN6#HB0的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
  • 型号:RBE100N04R0SZN6#HB0
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:8-DFN（4.9x5.75）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:POWER:POWER MOSFETS
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:26W（Tc）
  • 工作温度:175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-DFN（4.9x5.75）
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
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