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RJP65T54DPM-E0#T2

瑞萨(RENESAS)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
制造厂商：瑞萨(RENESAS)
功能简述：IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PF
原厂封装：封装:TO-3PF
优势价格，RJP65T54DPM-E0#T2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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RJP65T54DPM-E0#T2的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
  • 型号:RJP65T54DPM-E0#T2
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:TO-3PF
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PF
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:沟道
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.68V @ 15V，30A
  • 功率 - 最大值:63.5 W
  • 开关能量:330J（导通），760J（关断）
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:72 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/120ns
  • 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3PFM，SC-93-3
  • 供应商器件封装:TO-3PF
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