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| RM25C256DS-LSNI-B的报价和技术资料 - RENESAS瑞萨电子授权中国代理商 |
RM25C256DS-LSNI-B的图片

RM25C256DS-LSNI-B

瑞萨(RENESAS)图标
集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
制造厂商：瑞萨(RENESAS)
功能简述：IC CBRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
原厂封装：封装:8-SOIC
优势价格，RM25C256DS-LSNI-B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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RM25C256DS-LSNI-B的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
  • 型号:RM25C256DS-LSNI-B
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC CBRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:CBRAM
  • 技术:CBRAM
  • 存储容量:256Kb
  • 存储器组织:64 字节页大小
  • 存储器接口:SPI
  • 时钟频率:20 MHz
  • 写周期时间 - 字，页:100s，2.5ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.65V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取RM25C256DS-LSNI-B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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