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RM25C512C-LSNI-T
的报价和技术资料 - RENESAS瑞萨电子授权中国代理商 |
RM25C512C-LSNI-T
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:
瑞萨(RENESAS)
功能简述:
IC CBRAM 512KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
原厂封装:
封装:8-SOIC
优势价格,RM25C512C-LSNI-T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
RM25C512C-LSNI-T的技术资料下载
RM25C512C-LSNI-T的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
型号:RM25C512C-LSNI-T
品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
封装:8-SOIC
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC CBRAM 512KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
南皇电子 可编程:未验证
存储器类型:非易失
存储器格式:CBRAM
技术:CBRAM
存储容量:512Kb
存储器组织:128 字节页大小
存储器接口:SPI
时钟频率:20 MHz
写周期时间 - 字,页:100s,5ms
访问时间:-
电压 - 供电:1.65V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
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