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TP65H015G5WS
的报价和技术资料 - RENESAS瑞萨电子授权中国代理商 |
TP65H015G5WS
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
瑞萨(RENESAS)
功能简述:
650 V 95 A GAN FET
原厂封装:
封装:TO-247-3
优势价格,TP65H015G5WS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
TP65H015G5WS的技术资料下载
TP65H015G5WS的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
型号:TP65H015G5WS
品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:650 V 95 A GAN FET
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss):650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):93A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):18 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.8V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):100 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5218 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):266W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
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