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TPD3215M的图片

TPD3215M

瑞萨(RENESAS)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商：瑞萨(RENESAS)
功能简述：MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE
原厂封装：封装:模块
优势价格，TPD3215M的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TPD3215M的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
  • 型号:TPD3215M
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:模块
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 技术:GaNFET（氮化镓）
  • 配置:2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:600V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 30A，8V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28nC @ 8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2260pF @ 100V
  • 功率 - 最大值:470W
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:模块
  • 想获取TPD3215M的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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