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TPH3206LSGB

瑞萨(RENESAS)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：瑞萨(RENESAS)
功能简述：GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
原厂封装：封装:3-PQFN（8x8）
优势价格，TPH3206LSGB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TPH3206LSGB的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
  • 型号:TPH3206LSGB
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:3-PQFN（8x8）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）:650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，8V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 500A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.2 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）:±18V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:720 pF @ 480 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:81W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:3-PQFN（8x8）
  • 封装/外壳:3-PowerDFN
  • 想获取TPH3206LSGB的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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