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UPA2813T1L-E1-AT
的报价和技术资料 - RENESAS瑞萨电子授权中国代理商 |
UPA2813T1L-E1-AT
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
瑞萨(RENESAS)
功能简述:
MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON
原厂封装:
封装:8-HVSON(3.3x3.3)
优势价格,UPA2813T1L-E1-AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
UPA2813T1L-E1-AT的技术资料下载
UPA2813T1L-E1-AT的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
型号:UPA2813T1L-E1-AT
品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
封装:8-HVSON(3.3x3.3)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6.2 毫欧 @ 27A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):80 nC @ 10 V
Vgs(最大值):-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3130 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1.5W(Ta),52W(Tc)
工作温度:-
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-HVSON(3.3x3.3)
封装/外壳:8-PowerVDFN
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