UPA2373T1P-E4-A的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号: UPA2373T1P-E4-A制造厂家名称: Renesas Electronics America功能总体简述: MOSFET N-CH系列: -FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动漏源极电压(Vdss): -电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): -不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): -不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 22nC @ 4V不同 Vds 时的输入电容(Ciss): -功率 - 最大值: 1.3W安装类型: *封装: *瑞萨原厂器件封装: *想获取UPA2373T1P-E4-A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料