RJH60D3DPE-00#J3的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号：RJH60D3DPE-00#J3制造厂家名称：Renesas （瑞萨电子）描述：IGBT 600V 35A LDPAK系列：-IGBT 类型：沟道电压 - 集射极击穿（最大值）：600V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：-不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.2V @ 15V，17A功率 - 最大值：113WSwitching Energy：200μJ （开）， 210μJ （关）输入类型：标准Gate Charge：37nC25°C 时 Td（开/关）值：35ns/80nsTest Condition：300V, 17A, 5 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr)：100ns封装：SC-83安装类型：表面贴装瑞萨原厂器件封装：4-LDPAK想获取RJH60D3DPE-00#J3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
